Category: Substrato ceramico aln

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Substrato ceramico AlN lucidato su entrambi i lati a specchio

Substrato ceramico AlN lucidato su entrambi i lati a specchio

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Tipo di pagamento: T/T
Incoterm: FOB,CIF,EXW
Quantità di ordine minimo: 50 Piece/Pieces
Trasporti: Ocean,Air,Express
Porta: Shanghai,Beijing,Xi`an

descrizione

Caratteristiche del prodotto

marchio: Ceramica Puwei

Origin: Cina

Sertifikasi: GXLH41023Q10642R0S

Luogo D'origine: Cina

Tipi Di: Ceramica piezoelettrica, Ceramica elettrotermica, Ceramica isolante, Ceramica ad alta frequenza, Ceramica dielettrica

Materiale: Nitruro di alluminio

Substrato Aln Lucido: Substrato di ceramica aln a doppia parte a doppia specchio

Confezionamento e consegna

Unità vendibili:	Piece/Pieces
Tipo pacchetto:	I substrati ceramici sono imballati in cartoni con rivestimenti in plastica per evitare graffi e umidità. I cartoni robusti vengono impilati su pallet, fissati con reggette o pellicola termoretraibile. In questo modo garantisce stabilità, facilità di movi
Esempio immagine:

Capacità di fornitura e informazioni aggiuntive

Pacchetto: I substrati ceramici sono imballati in cartoni con rivestimenti in plastica per evitare graffi e umidità. I cartoni robusti vengono impilati su pallet, fissati con reggette o pellicola termoretraibile. In questo modo garantisce stabilità, facilità di movi

produttività: 1000000

Trasporti: Ocean,Air,Express

Luogo di origine: Cina

Supportare: The annual output of ceramic substrate products is 1 million pieces.

Certificati : GXLH41023Q10642R0S

Porta: Shanghai,Beijing,Xi`an

Tipo di pagamento: T/T

Incoterm: FOB,CIF,EXW

Descrizione del prodotto

Substrato ceramico in nitruro di alluminio (AlN) lucidato su entrambi i lati a specchio

Il substrato ceramico AlN lucidato su entrambi i lati a specchio di Puwei stabilisce lo standard per la gestione termica e l'integrità elettrica negli imballaggi elettronici avanzati. Progettato con una superficie ultra liscia di grado ottico (Ra <0,02μm) e una conduttività termica superiore (≥175 W/m·K), questo substrato è il componente fondamentale per la microelettronica ad alta affidabilità, i dispositivi di potenza e gli assemblaggi di moduli ad alta frequenza . È specificamente progettato come piastra ceramica nuda di qualità superiore da utilizzare nella produzione di circuiti integrati , microcircuiti ibridi a film spesso e altri sistemi elettronici di precisione in cui la dissipazione del calore e la planarità della superficie sono fondamentali.

AlN vs. conventional ceramic substrate thermal performance comparison

Confronto delle prestazioni che evidenzia la conduttività termica superiore di AlN.

Caratteristiche principali e vantaggi

Gestione termica eccezionale: con una conduttività termica 8-10 volte superiore a quella dell'allumina, dissipa efficacemente il calore dai componenti microelettronici ad alta potenza , prevenendo la limitazione termica e migliorando la durata del dispositivo.
Superficie di produzione di precisione: la lucidatura a specchio su entrambi i lati garantisce una superficie perfettamente piana, essenziale per la deposizione di circuiti stampati a film spesso ad alto rendimento, la modellatura a linee sottili e il fissaggio affidabile dello stampo negli imballaggi microelettronici .
Isolamento elettrico superiore: l'elevata rigidità dielettrica (>15 kV/mm) e la resistività di volume (>10¹⁴ Ω·cm) forniscono prestazioni eccezionali come elemento isolante in ambienti ad alta tensione e alta frequenza.
CTE abbinato per affidabilità: il coefficiente di espansione termica (CTE: 4,2-4,8 ×10⁻⁶/°C) si avvicina molto al silicio e all'arseniuro di gallio, riducendo al minimo lo stress termico e prevenendo la delaminazione nell'imballaggio di semiconduttori e sensori .
Stabilità alle alte temperature: resiste a temperature di esercizio fino a 1800°C (atmosfera inerte), garantendo prestazioni costanti in ambienti estremi.

Specifiche tecniche

Proprietà termiche e fisiche

Conducibilità termica: Grado standard ≥175 W/m·K; Grado ad alte prestazioni ≥200 W/m·K
CTE (coefficiente di dilatazione termica): 4,2-4,8 ×10⁻⁶/°C
Temperatura operativa massima: 1800°C (atmosfera inerte)
Densità: >3,26 g/cm³

Dimensioni e finitura superficiale

Spessore standard: da 0,10 mm a 3,0 mm
Finitura superficiale: lucidatura a specchio su entrambi i lati, Ra <0,02 μm
Dimensioni planari personalizzate: disponibili su richiesta (fino a 240 mm × 280 mm)

Proprietà elettriche

Costante dielettrica (εr): 8,0 - 9,0 a 1 MHz
Rigidità dielettrica: >15 kV/mm
Resistività del volume: >1 × 10¹⁴ Ω·cm

Applicazioni chiave

Questo substrato è progettato per applicazioni impegnative in settori critici:

Elettronica di potenza: piastra base ideale per moduli IGBT, dispositivi di potenza SiC negli inverter di trazione EV/HEV e azionamenti di motori industriali, dove la gestione del calore proveniente dai dispositivi di potenza è fondamentale.
Comunicazioni RF e a microonde: substrato ad alta frequenza e a bassa perdita per componenti a microonde , amplificatori di potenza in infrastrutture 5G/6G e sistemi di difesa che richiedono circuiti RF stabili.
Optoelettronica avanzata: diffusione del calore superiore per pacchetti di diodi laser ad alta potenza (LiDAR), array di LED ad alta luminosità e altre applicazioni optoelettroniche .
Circuiti ibridi e di precisione: il substrato preferito per microcircuiti ibridi a film spesso ad alta affidabilità, sensori MEMS e packaging avanzato per circuiti integrati .
Elettronica aerospaziale e per la difesa: prestazioni robuste in condizioni di stress termico e meccanico estremo, che supportano componenti ceramici in sistemi mission-critical.

Valore strategico per il tuo business

Migliora l'affidabilità del sistema: la dissipazione del calore superiore prolunga la vita operativa dei componenti microelettronici sensibili ad alta potenza .
Aumento della resa di produzione: la qualità della superficie di livello ottico garantisce una deposizione del circuito priva di difetti e una maggiore produttività.
Riduzione del costo totale del sistema: l'elevata conduttività termica consente soluzioni di raffreddamento più semplici ed economiche.
Accelera il time-to-market: la finitura a specchio pronta all'uso elimina ulteriori passaggi di preparazione della superficie nella linea di produzione.
Prestazioni pronte per il futuro: consente la densità di potenza e la miniaturizzazione di prossima generazione nel packaging microelettronico .

Processo di integrazione: una guida passo passo

Design e specifiche: definisci le dimensioni, lo spessore e il grado di prestazione del substrato con gli ingegneri Puwei in base ai requisiti di imballaggio microelettronico .
Preparazione della superficie: pulire la superficie lucidata a specchio utilizzando protocolli standard di pulizia dei semiconduttori (ad esempio, pulizia a ultrasuoni con IPA) per garantire un'adesione ottimale.
Fabbricazione di circuiti: applicazione di circuiti conduttivi tramite stampa di film spesso/sottile, processi DBC, DPC o AMB per creare un circuito stampato funzionale con film spesso .
Assemblaggio dei componenti: collega matrici di semiconduttori, componenti in ceramica o altri componenti microelettronici ad alta potenza utilizzando paste saldanti, epossidiche o sinterizzate.
Integrazione e test finali: collegamento completo di cavi o interconnessioni flip-chip, seguito da una convalida elettrica, termica e meccanica completa.

Custom AlN ceramic substrate with precise dimensions and edge details

Substrati AlN di dimensioni personalizzate pronti per la fabbricazione di circuiti.

Processo di produzione e garanzia di qualità

La nostra produzione verticale garantisce risultati costanti e di alta qualità:

Sintesi del materiale: produzione e verifica di polvere AlN ad elevata purezza.
Formatura di precisione: modellatura del substrato tramite colata su nastro o pressatura a secco.
Sinterizzazione ad alta temperatura: densificazione in atmosfera controllata per ottenere proprietà termiche e meccaniche ottimali.
Lavorazione CNC: rettifica precisa per ottenere tolleranze dimensionali strette.
Lucidatura a specchio: lucidatura meccanico-chimica multistadio per ottenere la finitura superficiale Ra <0,02μm specificata.
Ispezione finale rigorosa: ispezione al 100% dei parametri chiave tra cui dimensioni, qualità della superficie e curvatura/arco.

Certificazioni e conformità

Certificato ISO 9001:2015: rigoroso sistema di gestione della qualità con controlli SPC dalla materia prima al prodotto finito.
Conformità RoHS e REACH: tutti i materiali sono rispettosi dell'ambiente e non tossici.
Tracciabilità completa: tracciabilità a livello di lotto di tutti i wafer in nitruro di alluminio e dei substrati finiti.

Personalizzazione e servizi a valore aggiunto

Offriamo servizi OEM/ODM completi per personalizzare il substrato in base alle vostre precise esigenze:

Geometria: spessore personalizzato (da 0,10 mm), dimensioni planari e caratteristiche di taglio di precisione (fori, fessure, contorni complessi).
Superficie e metallizzazione: le opzioni includono finiture lucidate su un solo/doppio lato, cotte o rettificate. Forniamo anche servizi di metallizzazione completi (DBC, DPC, AMB) per fornire substrati pronti per l'assemblaggio.
Gradi dei materiali: AlN standard (≥175 W/m·K) o premium ad alta conduttività (≥200 W/m·K).

Valore diretto per la tua azienda: questo substrato aumenta l'affidabilità del sistema migliorando la dissipazione del calore, aumenta la resa produttiva grazie alla qualità superficiale superiore e può ridurre il costo totale del sistema consentendo soluzioni termiche più semplici. È la scelta ottimale per gli innovatori che spingono i limiti della densità di potenza e della miniaturizzazione.

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