Substrato ceramico in nitruro di alluminio (AlN) lucidato su entrambi i lati a specchio
Panoramica del prodotto: il fondamento definitivo per la gestione termica
Progettato per l'eccellenza nell'imballaggio elettronico , il substrato ceramico AlN lucidato su entrambi i lati a specchio di Puwei rappresenta l'apice delle prestazioni termiche e dell'isolamento elettrico. Questo substrato è specificamente progettato per affrontare le sfide critiche di dissipazione del calore nella microelettronica , nei dispositivi di potenza e nelle applicazioni di moduli ad alta frequenza di prossima generazione.
Grazie alla lucidatura a specchio bifacciale di precisione e alle proprietà superiori dei materiali, fornisce una base ineguagliabile per l'assemblaggio affidabile di circuiti integrati e microcircuiti ibridi ad alte prestazioni, consentendo l'innovazione nella densità di potenza e nella miniaturizzazione.
Caratteristiche principali e vantaggi competitivi
Dissipazione del calore senza rivali
Con una conduttività termica ≥175 W/m·K (fino a 200 W/m·K), il nostro substrato AlN conduce il calore 8-10 volte in modo più efficiente rispetto all'allumina standard. Ciò riduce drasticamente la resistenza termica nei componenti microelettronici ad alta potenza , migliorando la longevità del dispositivo e prevenendo guasti da surriscaldamento.
Superficie di grado ottico per la produzione di precisione
La lucidatura a specchio su entrambi i lati consente di ottenere una superficie ultra liscia (Ra <0,02μm). Ciò è fondamentale per la modellazione di circuiti stampati a film spesso ad alto rendimento e a linee sottili e per i processi di metallizzazione avanzati, garantendo prestazioni impeccabili nei circuiti RF sensibili.
Integrità elettrica intrinseca
L'eccellente rigidità dielettrica (>15 kV/mm) e l'elevata resistività di volume (>10¹⁴ Ω·cm) lo rendono un elemento isolante ideale, garantendo funzionamento stabile e sicurezza in ambienti ad alta tensione e alta frequenza.
Perfetto abbinamento CTE per affidabilità
Il coefficiente di dilatazione termica (CTE) è meticolosamente abbinato a quello del silicio (4,2-4,8 ×10⁻⁶/°C). Questa compatibilità riduce al minimo lo stress interfacciale nei pacchetti di semiconduttori, un fattore vitale per l'affidabilità del packaging microelettronico avanzato e del packaging dei sensori .
Specifiche tecniche dettagliate
Proprietà termiche
Conducibilità termica: grado standard ≥175 W/m·K | Grado ad alte prestazioni ≥200 W/m·K.
Coefficiente di espansione termica (CTE): 4,2 - 4,8 ×10⁻⁶/°C (da RT a 400°C), corrispondente al silicio.
Temperatura operativa massima: fino a 1800°C in atmosfere inerti.
Proprietà fisiche e meccaniche
Finitura superficiale: lucidatura a specchio su entrambi i lati, Ra <0,02 μm.
Intervallo di spessore standard: da 0,10 mm a 3,0 mm (spessore di produzione minimo: 0,10 mm).
Densità: >3,26 g/cm³.
Proprietà elettriche
Costante dielettrica (εr): 8,0 - 9,0 a 1 MHz.
Rigidità dielettrica: >15 kV/mm.
Resistività del volume: >1 × 10¹⁴ Ω·cm a temperatura ambiente.
Come integrare: una semplice guida
- Progettazione e consulenza: collabora con gli ingegneri Puwei per personalizzare le specifiche del tuo microcircuito ibrido a film spesso o del tuo progetto di modulo di potenza.
- Preparazione del substrato: pulire i substrati utilizzando metodi ad ultrasuoni con alcol isopropilico.
- Formazione di circuiti: applicare la metallizzazione tramite tecniche di stampa DBC, DPC, AMB o su pellicola spessa/sottile.
- Collegamento dei componenti: montare matrici di semiconduttori o componenti ceramici utilizzando saldature o resina epossidica.
- Interconnessione e test finale: esegui il wire bonding/flip-chip e conduci una validazione elettrica, termica e meccanica completa.
Applicazioni industriali mirate
Elettronica di potenza ed energie rinnovabili
- Pacchetti IGBT e MOSFET: essenziali per la gestione termica nei gruppi propulsori dei veicoli elettrici e negli azionamenti di motori industriali.
- Sistemi di conversione di potenza: basi ad alta affidabilità per inverter solari e sistemi UPS.
- Amplificatori di potenza RF: efficace dissipazione del calore nelle infrastrutture 5G/6G e nei radar di difesa.
Comunicazioni e informatica avanzate
- Circuiti RF/microonde: substrato a bassa perdita per componenti a microonde e moduli ad alta frequenza .
- Packaging avanzato: interpositori e substrati per HPC, processori AI e packaging di circuiti integrati .
Optoelettronica e rilevamento
- Diodi laser e LED ad alta potenza: diffusione del calore superiore per illuminazione automobilistica, display e LiDAR.
- Pacchetti MEMS e sensori: piattaforma stabile e di precisione per sensori ambientali e industriali.
Valore diretto per il tuo business
- Aumenta l'affidabilità del sistema: prolunga la durata dei componenti del 30-50% grazie a una dissipazione del calore superiore, riducendo i guasti sul campo e i costi di garanzia.
- Aumento della resa di produzione: la superficie a specchio può migliorare la resa di produzione del 15-25% nei processi di metallizzazione di precisione.
- Riduci il costo totale del sistema: elimina o semplifica i sistemi di raffreddamento attivi ingombranti e costosi, riducendo il costo complessivo della distinta base.
- Accelerare l'innovazione: consentire densità di potenza più elevate e progetti miniaturizzati per prodotti competitivi di prossima generazione.
Personalizzazione flessibile e servizi OEM
Puwei fornisce supporto completo OEM/ODM per soddisfare le precise esigenze applicative.
Geometria e dimensioni
Spessore personalizzato da 0,10 mm a 3,0 mm. Dimensioni planari fino a 200×200 mm, con opzioni per fori di precisione, asole e contorni complessi.
Opzioni di superficie e metallizzazione
Scegli tra finiture a specchio singolo/doppio lato, a fuoco o rettificate. Offriamo servizi di metallizzazione completi tra cui DBC, DPC e AMB per creare lastre in ceramica nuda pronte per il montaggio.
Eccellenza produttiva e garanzia di qualità
Processo di produzione controllato
- Sintesi di polveri AlN ad elevata purezza e verifica della qualità.
- Formatura di precisione tramite colata su nastro o pressatura a secco.
- Sinterizzazione ad alta temperatura in atmosfera controllata per ottenere una densità quasi teorica.
- Rettifica CNC per precisione dimensionale.
- Lucidatura a specchio meccanico-chimica multifase.
- Ispezione finale al 100% dei parametri chiave.
Il nostro impegno per la qualità
La nostra struttura certificata ISO 9001 implementa un rigoroso controllo statistico del processo (SPC). Garantiamo la coerenza lotto per lotto dalla materia prima ( wafer di nitruro di alluminio ) al prodotto finale, nel pieno rispetto delle normative RoHS e REACH.
Domande frequenti
Sei un produttore o un commerciante?
Puwei è un produttore diretto con il controllo completo sul processo di produzione, dalla sintesi delle polveri alla lucidatura finale.
Fornite campioni per la valutazione?
Sì, offriamo fino a 3 campioni gratuiti per clienti B2B qualificati. Le spese di trasporto sono generalmente a carico del cliente.
Qual è il vostro sistema di gestione della qualità?
Operiamo secondo un sistema di qualità completo certificato ISO. Ogni fase della produzione viene monitorata e controllata utilizzando l'SPC per garantire un output coerente e ad alte prestazioni adatto ad applicazioni microelettroniche e optoelettroniche esigenti.
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