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$1
≥50 Piece/Pieces
marchio: Ceramica Puwei
Luogo D'origine: Cina
Tipi Di: Ceramica piezoelettrica, Ceramica isolante, Ceramica elettrotermica, Ceramica ad alta frequenza, Ceramica dielettrica
Materiale: Nitruro di alluminio
Foglio Di Ceramica Aln: Substrato ceramico di nitruro di alluminio
| Unità vendibili: | Piece/Pieces |
|---|---|
| Tipo pacchetto: | I substrati ceramici sono imballati in cartoni con rivestimenti in plastica per evitare graffi e umidità. I cartoni robusti vengono impilati su pallet, fissati con reggette o pellicola termoretraibile. In questo modo garantisce stabilità, facilità di movi |
| Esempio immagine: |
Pacchetto: I substrati ceramici sono imballati in cartoni con rivestimenti in plastica per evitare graffi e umidità. I cartoni robusti vengono impilati su pallet, fissati con reggette o pellicola termoretraibile. In questo modo garantisce stabilità, facilità di movi
produttività: 1000000
Trasporti: Ocean,Air,Express
Luogo di origine: Cina
Supportare: The annual output of ceramic substrate products is 1 million pieces.
Certificati : GXLH41023Q10642R0S
Porta: Shanghai,Beijing,Xi’an
Tipo di pagamento: T/T
Incoterm: FOB,CIF,EXW
I substrati ceramici in nitruro di alluminio di Puwei sono soluzioni avanzate di gestione termica progettate per sistemi elettronici ad alte prestazioni. Realizzati utilizzando la tecnologia della fusione di precisione, questi substrati forniscono un'eccezionale conduttività termica (≥175 W/m·K) e un isolamento elettrico superiore, rendendoli ideali per applicazioni impegnative in imballaggi elettronici , dispositivi di potenza e moduli ad alta frequenza . La nostra produzione integrata verticalmente garantisce una qualità costante dalle materie prime ai componenti ceramici finiti.


Materiale: nitruro di alluminio di elevata purezza (AlN). Conduttività termica: grado standard ≥175 W/m·K, grado Premium ≥200 W/m·K. Intervallo di spessore: da 0,10 mm a 1,5 mm (minimo 0,10 mm). Proprietà elettriche: resistività di volume >10¹⁴ Ω·cm, rigidità dielettrica >15 kV/mm. Proprietà meccaniche: Resistenza alla flessione >300 MPa. Intervallo di temperatura: da -50°C a 400°C. CET: abbinato al silicio (4,5×10⁻⁶/K). Finitura superficiale: Ra ≤ 0,4 μm (lucida). Queste proprietà garantiscono prestazioni affidabili nelle applicazioni di circuiti integrati e componenti microelettronici ad alta potenza .
Con una conduttività termica fino a 200 W/m·K, i nostri substrati AlN dissipano in modo efficiente il calore dai dispositivi di alimentazione ad alta densità e dai componenti a microonde , prevenendo l'instabilità termica e prolungando la durata del dispositivo.
Supporta la stampa DPC, DBC, AMB, film spesso e film sottile, offrendo flessibilità di progettazione per circuiti RF , microcircuiti ibridi a film spesso e gruppi di raffreddamento termoelettrici .
La tecnologia di fusione avanzata garantisce precisione dimensionale e qualità della superficie. Offriamo spessori personalizzati (fino a 0,10 mm), finiture superficiali e dimensioni fino a 150×200 mm per l'imballaggio di sensori e applicazioni di optoelettronica .
L'elevata rigidità dielettrica e la resistività volumetrica lo rendono un eccellente elemento isolante , garantendo sicurezza e prestazioni in ambienti ad alta tensione e imballaggi microelettronici .
Ideale per moduli IGBT, convertitori di potenza e inverter come elemento isolante e diffusore di calore, migliorando l'affidabilità dei componenti microelettronici ad alta potenza .
Fornisce una bassa perdita dielettrica e prestazioni stabili per moduli ad alta frequenza , applicazioni a microonde e amplificatori di potenza RF nelle infrastrutture di comunicazione.
Fondamentale per imballaggi microelettronici , imballaggi di sensori e piastre di moduli semiconduttori termoelettrici , consentendo la miniaturizzazione con una gestione termica superiore.
Utilizzato come substrato del dissipatore di calore per LED ad alta potenza, diodi laser e altre applicazioni optoelettroniche in cui un'efficiente dissipazione del calore è fondamentale per prestazioni e longevità.
Prodotto in strutture certificate ISO 9001:2015. Il nostro processo integrato verticalmente prevede un rigoroso controllo di qualità in ogni fase, dall'ispezione delle materie prime al test del prodotto finale, garantendo che ogni substrato AlN soddisfi gli standard più elevati per i chip ceramici e le applicazioni elettroniche avanzate.
Puwei offre un'ampia personalizzazione per soddisfare le vostre specifiche esatte:
La nostra eccellenza produttiva si basa su un processo controllato: formulazione di polvere AlN ad elevata purezza → fusione e formatura di precisione → sinterizzazione controllata ad alte temperature → rettifica di precisione e finitura superficiale → ispezione completa (dimensionale, termica, elettrica) → imballaggio. Il controllo statistico del processo (SPC) garantisce la coerenza tra i lotti, rendendo i nostri substrati componenti ceramici affidabili per le applicazioni più critiche.
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