Substrato metallizzato AlN ceramico Mo Mn

Proposta di valore fondamentale per acquirenti B2B e ingegneri di progettazione

• Risolve il surriscaldamento e consente la miniaturizzazione: l'eccezionale conduttività termica (170-200 W/m·K) allontana attivamente il calore dai dispositivi ad alta densità, consentendo una maggiore densità di potenza e design più compatti senza compromettere l'affidabilità negli inverter dei veicoli elettrici e nelle unità industriali.
• Elimina il rischio di delaminazione: lo strato Mo-Mn cotto crea un legame chimico con l'AlN, raggiungendo una forza di adesione >70 MPa. Ciò garantisce l'integrità a lungo termine in condizioni di cicli termici estremi, un fattore critico per le applicazioni di confezionamento di sensori nel settore automobilistico e aerospaziale.
• Garantire l'integrità del segnale nei progetti RF: con proprietà dielettriche stabili (εr 8,5-9,0) e bassa perdita, questo substrato è un elemento isolante ideale per applicazioni a microonde e moduli ad alta frequenza , preservando la purezza del segnale nell'infrastruttura 5G/6G.
• Riduzione dello stress termico a livello di sistema: il CTE (4,5 ppm/°C) si avvicina molto ai materiali semiconduttori come Si e GaAs, riducendo al minimo lo stress sui matrici incollati nei pacchetti di circuiti integrati e aumentando la durata complessiva del modulo.
• Rendi il tuo prodotto a prova di futuro con una tecnologia comprovata: la metallizzazione Mo-Mn offre resistenza all'ossidazione e durata superiori in ambienti difficili rispetto a molte alternative a film sottile, garantendo la longevità del prodotto e riducendo i tassi di guasto sul campo nei sistemi mission-critical.