Il substrato AlN metallizzato DPC in rame placcato diretto rappresenta l'apice della tecnologia dei substrati ceramici, combinando una gestione termica superiore con prestazioni elettriche eccezionali. Questa soluzione avanzata è progettata per applicazioni ad alta potenza e alta frequenza in cui l'affidabilità e le prestazioni sono fondamentali negli imballaggi elettronici e microelettronici .
Vantaggi fondamentali
- Eccezionale conduttività termica: 170-230 W/(m·K) per una dissipazione del calore superiore
- Isolamento elettrico superiore: elevata resistenza di isolamento > 10¹⁰ Ω·cm
- Metallizzazione di precisione: placcatura diretta in rame per adesione e conduttività ottimali
- Corrispondenza CTE: il coefficiente di espansione termica corrisponde molto al silicio (4,5 ppm/K)










