Shaanxi Puwei Electronic Technology Co., Ltd

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Elenco prodotti> Ceramica di metallizzazione> Substrato ceramico DPC> Substrato AlN metallizzato DPC in rame placcato diretto
Substrato AlN metallizzato DPC in rame placcato diretto
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Substrato AlN metallizzato DPC in rame placcato diretto

  • $5

    ≥50 Piece/Pieces

Ombra:
  • Tipo di pagamento: T/T
  • Incoterm: FOB,CIF,EXW
  • Quantità di ordine minimo: 50 Piece/Pieces
  • Trasporti: Ocean,Air,Express
  • Porta: Shanghai,Beijing,Xi’an
descrizione
Caratteristiche del prodotto

marchioCeramica Puwei

Luogo D'origineCina

Tipi DiCeramica ad alta frequenza

MaterialeNitruro di alluminio

Substrato DPC AlnDPC a rame trasformato in rame al substrato ALN metallizzato

Confezionamento e consegna
Unità vendibili: Piece/Pieces
Tipo pacchetto: I substrati ceramici sono imballati in cartoni con rivestimenti in plastica per evitare graffi e umidità. I cartoni robusti vengono impilati su pallet, fissati con reggette o pellicola termoretraibile. In questo modo garantisce stabilità, facilità di movi
Esempio immagine:
Capacità di fornitura e informazioni aggiuntive

PacchettoI substrati ceramici sono imballati in cartoni con rivestimenti in plastica per evitare graffi e umidità. I cartoni robusti vengono impilati su pallet, fissati con reggette o pellicola termoretraibile. In questo modo garantisce stabilità, facilità di movi

produttività1000000

TrasportiOcean,Air,Express

Luogo di origineCina

SupportareThe annual output of ceramic substrate products is 1 million pieces.

Certificati GXLH41023Q10642R0S

PortaShanghai,Beijing,Xi’an

Tipo di pagamentoT/T

IncotermFOB,CIF,EXW

Descrizione del prodotto

Substrato in nitruro di alluminio metallizzato con rame placcato diretto (DPC): la migliore gestione termica per l'elettronica ad alta potenza

Il substrato in nitruro di alluminio metallizzato (AlN) in rame placcato diretto (DPC) di Puwei rappresenta l'apice della tecnologia di gestione termica per applicazioni critiche di imballaggio elettronico e microelettronico . Combinando l'eccezionale conduttività termica del nitruro di alluminio (170-230 W/m·K) con la metallizzazione DPC di precisione, questo circuito ceramico avanzato offre prestazioni senza precedenti per componenti microelettronici ad alta potenza e dispositivi di potenza che operano in ambienti difficili. Progettato per l'affidabilità, risolve la doppia sfida della dissipazione del calore e dell'integrità del segnale nei sistemi elettronici di prossima generazione.

DPC Metallized AlN Substrate - Precision copper circuit on aluminum nitride ceramicCeramic Types and Properties Comparison - AlN vs Alumina

Specifiche tecniche delle prestazioni

I nostri substrati DPC AlN sono prodotti secondo specifiche precise, garantendo prestazioni costanti per applicazioni ad alta affidabilità nei settori aerospaziale, automobilistico e delle telecomunicazioni.

Proprietà del materiale e del nucleo

  • Materiale di base: ceramica al nitruro di alluminio (AlN) di elevata purezza
  • Metallizzazione: rame placcato diretto (DPC) con modellatura fotolitografica di precisione
  • Conduttività termica: 170-230 W/(m·K) – ideale per componenti microelettronici ad alta potenza e moduli IGBT
  • Coefficiente di espansione termica (CTE): ~4,5 ppm/K (strettamente simile al silicio, riduce lo stress termico)

Caratteristiche Elettriche e Meccaniche

  • Resistività di volume: > 10¹⁴ Ω·cm a 25°C
  • Costante dielettrica: ~8,8 a 1 MHz
  • Tensione di rottura: > 15 kV/mm
  • Resistenza alla pelatura del rame: ≥5 N/mm (garantendo un collegamento affidabile dei cavi e giunti di saldatura)
  • Resistenza alla flessione: > 300 MPa

Capacità geometriche

  • Intervallo di spessore: da 0,2 mm a 2,0 mm (opzioni personalizzate disponibili)
  • Dimensioni massime del pannello: fino a 240 mm x 280 mm per la produzione di volumi elevati
  • Spessore del rame: 10-140 μm (tipico), con capacità di linea fine fino a 50 μm di linea/spazio
  • Finiture superficiali: ENIG, argento per immersione, OSP o rame nudo

Vantaggi della tecnologia DPC: oltre i substrati tradizionali

Il processo di metallizzazione DPC di Puwei offre vantaggi distinti rispetto alle tradizionali tecnologie DBC (Direct Bonded Copper) e a film spesso, in particolare per applicazioni di microelettronica e moduli ad alta frequenza .

Gestione termica superiore

Con una conduttività termica 5-7 volte superiore rispetto al substrato ceramico di allumina standard (Al2O3) , i nostri substrati DPC basati su AlN consentono densità di potenza più elevate in fattori di forma compatti. Ciò li rende ideali per dispositivi di potenza e moduli LED ad alta luminosità in cui la dissipazione del calore influisce direttamente sulle prestazioni e sulla durata.

Definizione di circuito di precisione

A differenza dei metodi meccanici o serigrafici, il nostro processo basato sulla fotolitografia offre una risoluzione eccezionale. Questo supporta:

  • Geometrie sottili di linea/spazio fino a 50 μm per interconnessioni ad alta densità
  • Definizione dei bordi taglienti fondamentale per componenti a microonde e circuiti RF
  • Funzionalità multistrato per instradamento complesso in un packaging avanzato di circuiti integrati

Maggiore affidabilità e durata

  • Corrispondenza CTE al silicio: riduce al minimo lo stress termico-meccanico durante il ciclo di accensione
  • Elevata adesione del rame: garantisce un collegamento affidabile del filo e l'integrità del giunto di saldatura
  • Eccellenti prestazioni del ciclo termico: affidabilità comprovata per ambienti automobilistici e aerospaziali
  • Bassa perdita di segnale: ideale per circuiti RF e applicazioni a microonde che richiedono il controllo dell'impedenza

Scenari applicativi primari

Il substrato AlN metallizzato DPC di Puwei funge da base per sistemi critici per le prestazioni in diversi settori:

Elettronica di potenza e convertitori

  • Moduli IGBT e convertitori di potenza per sistemi di energia rinnovabile
  • Packaging LED ad alta potenza per l'illuminazione automobilistica e industriale
  • Relè a stato solido e azionamenti motore che richiedono un'efficiente dissipazione del calore

Comunicazioni RF e microonde

  • Amplificatori di potenza RF per stazioni base cellulari (infrastruttura 4G/5G)
  • Componenti a microonde inclusi filtri, accoppiatori e array di antenne
  • Apparecchiature per comunicazioni satellitari che richiedono prestazioni stabili a temperature estreme

Optoelettronica avanzata

  • Packaging di diodi laser per comunicazioni in fibra ottica e lavorazioni industriali
  • Array di fotorivelatori per applicazioni optoelettroniche nel rilevamento e nell'imaging
  • Array VCSEL ad alta potenza per sistemi di rilevamento 3D e LiDAR

Elettronica automobilistica

  • Moduli di potenza per veicoli elettrici (inverter di trazione, convertitori DC-DC)
  • Packaging sensori per centraline motore e sistemi di trasmissione
  • Moduli fari a LED che richiedono dimensioni compatte e stabilità termica

Linee guida per l'integrazione e l'assemblaggio

Per massimizzare le prestazioni dei substrati Puwei DPC nella tua applicazione, segui queste pratiche consigliate:

  1. Manipolazione e preparazione del substrato: conservare in ambiente controllato (temperatura 15-25°C, umidità <60% RH). Pulire le superfici con alcol isopropilico prima del montaggio per garantire una bagnatura ottimale della saldatura.
  2. Posizionamento dei componenti: utilizzare apparecchiature di prelievo e posizionamento automatizzate per un posizionamento preciso. L'eccellente finitura superficiale del rame garantisce una bagnatura costante della pasta saldante sia per i componenti attivi che per quelli passivi.
  3. Processo di saldatura: i profili di rifusione standard per SAC305 o saldature senza piombo simili sono compatibili. Per i dispositivi di potenza, prendere in considerazione il riflusso sotto vuoto per ridurre al minimo lo svuotamento nelle interfacce termiche.
  4. Integrazione dell'interfaccia termica: abbinamento con materiali di interfaccia termica (TIM) e dissipatori di calore appropriati per sfruttare appieno la conduttività termica di 170-230 W/m·K del substrato.
  5. Collegamento dei cavi: l'elevata resistenza alla pelatura (≥5 N/mm) supporta un collegamento affidabile dei cavi in ​​alluminio o oro per le interconnessioni dei circuiti integrati .
  6. Test finale: esecuzione di imaging termico e verifica elettrica per convalidare le prestazioni a livello di sistema in condizioni di carico.

Processo di produzione e garanzia di qualità

Il nostro processo di produzione integrato verticalmente garantisce il controllo completo sulla qualità, dalle materie prime ai substrati finiti.

DPC Production Process Flow - From AlN sintering to final inspection
  1. Fabbricazione del substrato AlN: la polvere AlN ad elevata purezza viene formata tramite fusione su nastro o pressatura a secco, seguita da sinterizzazione di precisione per ottenere la piena densità e la massima conduttività termica.
  2. Preparazione della superficie: i substrati vengono sottoposti a lappatura e lucidatura di precisione per ottenere la finitura superficiale richiesta per un'adesione ottimale della metallizzazione.
  3. Deposizione dello strato seme: gli strati seme a film sottile (Ti/Cu) vengono applicati tramite sputtering magnetron, garantendo una copertura uniforme e un forte legame ceramica-metallo.
  4. Fotolitografia e galvanica: i modelli di circuito vengono definiti utilizzando fotoresist ed esposizione ai raggi UV, seguiti da galvanica di rame di precisione per ottenere lo spessore desiderato.
  5. Finitura superficiale: finiture opzionali (ENIG, argento ad immersione) applicate in base alle esigenze del cliente per l'incollaggio o la saldatura del filo.
  6. Ispezione al 100%: l'ispezione ottica automatizzata (AOI), la verifica dimensionale e i test elettrici garantiscono che ogni substrato soddisfi le specifiche.

Tutti i processi aderiscono al nostro Sistema di Gestione della Qualità certificato ISO 9001:2015 . I materiali sono pienamente conformi a RoHS e REACH, con la completa tracciabilità mantenuta per ogni lotto di produzione.

Personalizzazione e funzionalità OEM/ODM

In qualità di specialista in COMPONENTI CERAMICI avanzati e prodotti ceramici elettronici , Puwei offre una personalizzazione completa per soddisfare le vostre precise esigenze:

  • Dimensioni personalizzate: dimensioni del substrato da 5 mm x 5 mm a 240 mm x 280 mm, con opzioni di spessore da 0,2 mm a 2,0 mm.
  • Progettazione di circuiti di precisione: traduciamo i vostri file Gerber o CAD in modelli in rame ad alta risoluzione, supportando geometrie sottili per microcircuiti ibridi a film spesso e interconnessioni ad alta densità.
  • Impilamenti multistrato: requisiti di instradamento complessi soddisfatti attraverso processi di laminazione sequenziali.
  • Configurazioni via: through-via, blind via e array di via termici ottimizzati per le vostre esigenze di gestione termica.
  • Opzioni di finitura superficiale: ENIG (oro per immersione in nichel chimico), argento per immersione, OSP o rame nudo per adattarsi al processo di assemblaggio.
  • Collaborazione tecnica: il nostro team di ingegneri collabora con voi dalla revisione del progetto attraverso la prototipazione fino alla produzione in serie, garantendo che i vostri requisiti di imballaggio per microelettronica siano soddisfatti con precisione.

Considerazioni tecniche per gli ingegneri

DPC e DBC: qual è la differenza fondamentale per la mia domanda?

Mentre DBC (Direct Bonded Copper) offre strati di rame spessi, la tecnologia DPC fornisce una struttura dei circuiti più fine (fino a 50 μm di linea/spazio), una migliore definizione dei bordi e supporto per strutture multistrato . Per le applicazioni che richiedono interconnessioni ad alta densità, come packaging di circuiti integrati , moduli RF o convertitori di potenza miniaturizzati, DPC è la scelta migliore. Per applicazioni a corrente estremamente elevata in cui il requisito principale è il rame ultra spesso, è possibile prendere in considerazione il DBC.

Questo substrato è adatto alla produzione automobilistica in grandi volumi?

Assolutamente. I substrati Puwei DPC AlN sono stati qualificati per applicazioni automobilistiche, tra cui moduli di potenza per veicoli elettrici, imballaggi di sensori per il controllo del motore e sistemi di illuminazione a LED. La combinazione di elevata conduttività termica, adattamento CTE al silicio ed eccellenti prestazioni di ciclo termico garantisce affidabilità nelle difficili condizioni degli ambienti automobilistici. La nostra capacità produttiva di 200.000 pezzi/mese supporta requisiti di volumi elevati con qualità costante.

Puoi lavorare con i nostri progetti di circuiti proprietari?

SÌ. Siamo specializzati nella traduzione dei formati di file Gerber, DXF o altri formati CAD dei clienti in substrati realizzati con precisione. Il nostro team di ingegneri conduce un'analisi approfondita della progettazione per la producibilità (DFM) per garantire che i requisiti dei microcircuiti ibridi a film spesso o dei componenti a microonde siano soddisfatti con rendimenti e prestazioni ottimali.

Che dire dei passaggi termici e della diffusione del calore?

Il nostro processo DPC supporta vie termiche sia riempite che non riempite. Per le massime prestazioni termiche, consigliamo vie riempite di rame che creano percorsi termici diretti dall'area di montaggio del componente alla metallizzazione posteriore o al dissipatore di calore. Questo approccio è particolarmente efficace per i componenti microelettronici ad alta potenza e i pacchetti di diodi laser.

Il substrato AlN metallizzato DPC di Puwei rappresenta la convergenza tra scienza dei materiali avanzata e produzione di precisione. Risolvendo sfide termiche ed elettriche critiche, ti consente di costruire sistemi elettronici più potenti, affidabili e compatti per il mercato globale. Che si tratti di applicazioni a microonde , elettronica di potenza o applicazioni optoelettroniche avanzate, i nostri substrati forniscono le basi per l'innovazione.

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