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$2
≥50 Piece/Pieces
Modello: customize
marchio: Ceramica Puwei
Luogo D'origine: Cina
Tipi Di: Ceramica ad alta frequenza
Materiale: Nitruro di silicio
Substrato Amb Ceramico Si3n4: Substrato rivestito di rame in ceramica a nitruro di silicio
| Unità vendibili: | Piece/Pieces |
|---|---|
| Tipo pacchetto: | I substrati ceramici sono imballati in cartoni con rivestimenti in plastica per evitare graffi e umidità. I cartoni robusti vengono impilati su pallet, fissati con reggette o pellicola termoretraibile. In questo modo garantisce stabilità, facilità di movi |
| Esempio immagine: |
Pacchetto: I substrati ceramici sono imballati in cartoni con rivestimenti in plastica per evitare graffi e umidità. I cartoni robusti vengono impilati su pallet, fissati con reggette o pellicola termoretraibile. In questo modo garantisce stabilità, facilità di movi
produttività: 1000000
Trasporti: Ocean,Air,Express
Luogo di origine: Cina
Supportare: The annual output of ceramic substrate products is 1 million pieces.
Certificati : GXLH41023Q10642R0S
Porta: Shanghai,Beijing,Xi’an
Tipo di pagamento: T/T
Incoterm: CIF,EXW,FOB
Il substrato rivestito in rame AMB in ceramica al nitruro di silicio di Puwei rappresenta l'apice della tecnologia avanzata dei substrati ceramici per dispositivi di potenza esigenti e imballaggi elettronici ad alta affidabilità. Utilizzando la tecnologia Active Metal Brazing (AMB), colleghiamo il rame ad alta conduttività alla ceramica di nitruro di silicio (Si₃N₄) di alta qualità, offrendo prestazioni termiche, meccaniche ed elettriche eccezionali per le applicazioni SiC e GaN di prossima generazione. Questo substrato è progettato come la soluzione definitiva per componenti microelettronici ad alta potenza che richiedono un'affidabilità senza pari.



I nostri substrati Si₃N₄ AMB sono caratterizzati da specifiche precise e ad alte prestazioni cruciali per un packaging microelettronico affidabile.
Materiale di base: nitruro di silicio di elevata purezza (Si₃N₄). Materiale di rivestimento: rame ad alta conduttività privo di ossigeno. Conducibilità termica: 80-90 W/m·K. Resistenza alla flessione: >800 MPa. CET: 3,2 ppm/°C. Rigidità dielettrica: >15 kV/mm. Resistenza alla pelatura: >80 N/cm.
Spessore ceramica: 0,25 mm-1,0 mm standard (0,2 mm-2,0 mm personalizzato). Spessore del rame: 0,1 mm-0,8 mm. Dimensione massima: 240 mm × 280 mm. Planarità superficiale: <10μm/cm. Capacità di rame spesso: supporta rame fino a 0,8 mm per una maggiore capacità di trasporto di corrente, ideale per il packaging avanzato di circuiti integrati .
L'esclusiva microstruttura del nitruro di silicio impedisce la propagazione delle cricche in caso di rapidi cambiamenti di temperatura, rendendolo ideale per ambienti difficili in cui i substrati ceramici di allumina o le ceramiche di nitruro di alluminio potrebbero danneggiarsi. Questo è fondamentale per i dispositivi di potenza automobilistici e industriali.
Il coefficiente di espansione termica di 3,2 ppm/°C è molto simile al carburo di silicio (SiC) e al nitruro di gallio (GaN). Ciò riduce al minimo lo stress termico interfacciale, prolungando la durata del prodotto e migliorando l'affidabilità nelle applicazioni microelettroniche ad alta potenza.
Con una resistenza alla flessione superiore a 800 MPa, fornisce una robustezza meccanica 3-5 volte maggiore rispetto all'allumina standard. Ciò garantisce l'integrità in caso di vibrazioni e sollecitazioni meccaniche nei gruppi propulsori dei veicoli elettrici e nelle apparecchiature industriali pesanti.
La brasatura attiva dei metalli crea forti legami chimici tra ceramica e rame, offrendo prestazioni di ciclo termico superiori e affidabilità a lungo termine rispetto ai tradizionali metodi DBC (Direct Bonded Copper). Questo processo avanzato di ceramica metallizzata è fondamentale per un imballaggio elettronico ad alta affidabilità.
Inverter principali, convertitori CC-CC e caricabatterie integrati che richiedono prestazioni robuste in condizioni di vibrazioni, cicli termici e densità di potenza elevata. Essenziale per i dispositivi di potenza basati su SiC di prossima generazione.
Gli inverter solari e i convertitori di energia eolica richiedono affidabilità a lungo termine ed eccellente resistenza agli shock termici in ambienti esterni con ampie fluttuazioni di temperatura.
Azionamenti ad alta potenza per apparecchiature di produzione e automazione che richiedono eccezionale resistenza meccanica e prestazioni di cicli termici in ambienti industriali difficili.
Elettronica di potenza mission-critical in cui i massimi livelli di affidabilità, robustezza meccanica e prestazioni in condizioni estreme non sono negoziabili.
Sebbene ottimizzate per la gestione termica, le sue eccellenti proprietà dielettriche supportano anche circuiti RF impegnativi e applicazioni a microonde dove l'affidabilità è fondamentale.
La nostra produzione garantisce la massima purezza, densità e precisione dimensionale per gli elementi isolanti critici nei moduli di potenza.
I prodotti Puwei soddisfano i più alti standard internazionali di qualità e affidabilità.
Personalizziamo i substrati Si₃N₄ AMB in base ai vostri specifici requisiti per l'imballaggio elettronico avanzato.
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