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Elenco prodotti> Ceramica di nitruro di alluminio> Aln disco ceramico> Dischi ceramici in nitruro di alluminio per moduli di potenza IGBT
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Dischi ceramici in nitruro di alluminio per moduli di potenza IGBT
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Dischi ceramici in nitruro di alluminio per moduli di potenza IGBT

  • $2

    ≥50 Piece/Pieces

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Ombra:
  • Tipo di pagamento: T/T
  • Incoterm: FOB,CIF,EXW
  • Quantità di ordine minimo: 50 Piece/Pieces
  • Trasporti: Ocean,Air,Express
  • Porta: Shanghai,Beijing,Xi’an
descrizione
Caratteristiche del prodotto

marchio: Ceramica Puwei

Origin: Cina

Sertifikasi: GXLH41023Q10642R0S

Luogo D'origine: Cina

Tipi Di: Ceramica piezoelettrica, Ceramica isolante, Ceramica elettrotermica, Ceramica ad alta frequenza, Ceramica dielettrica

Materiale: Nitruro di alluminio

Moduli Di Potenza ALN Dischi Ceramici: Dischi ceramici di nitruro di alluminio per moduli di potenza IGBT

Confezionamento e consegna
Unità vendibili: Piece/Pieces
Tipo pacchetto: I substrati ceramici sono imballati in cartoni con rivestimenti in plastica per evitare graffi e umidità. I cartoni robusti vengono impilati su pallet, fissati con reggette o pellicola termoretraibile. In questo modo garantisce stabilità, facilità di movi
Esempio immagine:
Capacità di fornitura e informazioni aggiuntive

Pacchetto: I substrati ceramici sono imballati in cartoni con rivestimenti in plastica per evitare graffi e umidità. I cartoni robusti vengono impilati su pallet, fissati con reggette o pellicola termoretraibile. In questo modo garantisce stabilità, facilità di movi

produttività: 1000000

Trasporti: Ocean,Air,Express

Luogo di origine: Cina

Supportare: The annual output of ceramic substrate products is 1 million pieces.

Certificati : GXLH41023Q10642R0S

Porta: Shanghai,Beijing,Xi’an

Tipo di pagamento: T/T

Incoterm: FOB,CIF,EXW

Descrizione del prodotto

Dischi ceramici in nitruro di alluminio (AlN): soluzioni termiche ingegnerizzate per moduli di potenza IGBT

Panoramica del prodotto

I dischi ceramici in nitruro di alluminio di Puwei sono progettati con precisione per soddisfare le esigenze termiche ed elettriche estreme dei moderni moduli di potenza IGBT. Essendo un fattore fondamentale nel confezionamento elettronico e nei componenti microelettronici ad alta potenza , questi dischi combinano una conduttività termica leader del settore (170–230 W/(m·K)) con un robusto isolamento elettrico. Dissipando efficacemente il calore dai chip IGBT, garantiscono un funzionamento stabile, migliorano la densità di potenza e prolungano la durata dei sistemi critici, dagli inverter di trazione ai convertitori di energia rinnovabile. Il loro coefficiente di espansione termica (CTE) è strettamente simile a quello del silicio, riducendo al minimo lo stress interfacciale e rendendoli la scelta preferita per imballaggi microelettronici affidabili e assemblaggi di circuiti integrati .

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