Parti strutturali SiC in carburo di silicio ad alta resistenza all'usura

Panoramica del prodotto

Le parti strutturali in ceramica in carburo di silicio (SiC) di Puwei sono progettate per estrema durata e precisione negli ambienti più esigenti. Con una durezza eccezionale (2500 HV) e stabilità termica fino a 1650°C, questi componenti superano i materiali tradizionali in termini di resistenza all'usura, inerzia chimica e stabilità dimensionale. Ideali per imballaggi elettronici e microelettronici , garantiscono prestazioni affidabili in componenti microelettronici ad alta potenza e applicazioni industriali critiche.

Parti strutturali in SiC lavorate con precisione con tolleranze a livello di micron

Specifiche tecniche

• Materiale: carburo di silicio (SiC) di elevata purezza
• Durezza: 2500 HV (Vickers)
• Densità: 3,10-3,20 g/cm³
• Resistenza alla flessione: 350-450 MPa
• Resistenza alla compressione: 2200-2500 MPa
• Conducibilità termica: 120-200 W/(m·K)
• Dilatazione termica: 4,0-4,5 × 10⁻⁶/°C
• Temperatura massima di esercizio: 1650°C (atmosfere inerti)
• Resistenza agli Shock Termici: Eccellente (ΔT > 800°C)
• Tolleranza diametro: ±0,005 mm
• Rugosità superficiale: Ra 0,1 μm
• Planarità: fino a 0,001 mm/mm

Caratteristiche e vantaggi del prodotto

• Eccezionale resistenza all'usura: durata 3-5 volte più lunga rispetto ai metalli, riducendo i costi di sostituzione.
• Gestione termica superiore: elevata conduttività termica e resistenza agli urti per un funzionamento stabile nei dispositivi di potenza e nei moduli ad alta frequenza .
• Inerzia chimica: resiste agli acidi, agli alcali e agli ambienti corrosivi.
• Lavorazione meccanica di precisione: le funzionalità CNC raggiungono tolleranze a livello di micron per gli imballaggi dei sensori e gli strumenti per circuiti integrati .
• Superfici non contaminanti: superfici prive di bave e pori, ideali per applicazioni in camere bianche.
• Leggero e resistente: densità inferiore rispetto all'acciaio con maggiore resistenza meccanica.

Ampia gamma di componenti strutturali in SiC per applicazioni industriali

Passaggi di implementazione e integrazione

1. Valutazione dell'applicazione: valutare la temperatura, la pressione, l'esposizione chimica e i carichi meccanici.
2. Ottimizza la progettazione: collabora con gli ingegneri Puwei per perfezionare la geometria e la selezione dei materiali.
3. Sviluppa prototipo: produce e testa prototipi funzionali per la convalida.
4. Installazione di precisione: utilizzare dispositivi di fissaggio e strumenti di allineamento adeguati per maneggiare i componenti con attenzione.
5. Convalida delle prestazioni: test in condizioni controllate per verificare le metriche.
6. Produzione su scala: aumenta la produzione in volumi con una qualità costante.

Scenari applicativi

Produzione di semiconduttori

Utilizzato nella gestione dei wafer, nei mandrini elettrostatici e nelle camere di reazione per una lavorazione priva di contaminazioni negli imballaggi microelettronici e nella fabbricazione di dispositivi.

Barca in cristallo ceramico SiC progettata per la lavorazione di wafer semiconduttori

Aerospaziale e difesa

Ideale per pale di turbine, ugelli e sistemi di protezione termica grazie alla struttura leggera e alla stabilità a temperature estreme.

Settore energetico

Fondamentale nei componenti dell'energia nucleare e solare come gli scambiatori di calore, dove la resistenza alle radiazioni e la capacità di resistere alle alte temperature sono essenziali.

Macchinari industriali

Prolunga la durata operativa di tenute meccaniche, cuscinetti e pompe che operano in ambienti abrasivi.

Elettronica e comunicazioni avanzate

I componenti RF e i diffusori di calore sfruttano le proprietà termiche del SiC per moduli e sistemi di comunicazione ad alta frequenza .

Valore aziendale e ROI

• Durata di vita estesa: una durata di servizio 3-5 volte più lunga riduce la frequenza di sostituzione e i tempi di inattività.
• Costi di manutenzione inferiori: riduce al minimo i requisiti di manutenzione grazie alla resistenza all'usura superiore.
• Efficienza migliorata: consente temperature e velocità operative più elevate per aumenti di produttività.
• Controllo avanzato della contaminazione: essenziale per la purezza dei semiconduttori, dei settori medicale e della lavorazione alimentare.
• Risparmio energetico: l'attrito ridotto e la migliore efficienza termica riducono le spese operative.

Certificazioni e conformità

Puwei mantiene la certificazione del sistema di gestione della qualità ISO 9001:2015 , con piena conformità agli standard ambientali RoHS e REACH. I nostri processi garantiscono la tracciabilità dei materiali e la coerenza dei lotti, supportati da tecnologie di produzione proprietarie.

Opzioni di personalizzazione

Offriamo servizi OEM e ODM completi, tra cui:
- Geometrie complesse con tolleranze strette (±0,005 mm).
- Finiture superficiali specializzate da Ra 0,1 μm a superfici strutturate.
- Gradi di materiali ottimizzati per applicazioni specifiche.
- Pieno supporto dallo sviluppo del prototipo alla produzione in serie.

Processo di produzione

1. Preparazione della materia prima: selezione e formulazione di polvere SiC ad elevata purezza.
2. Formatura avanzata: pressatura a secco, pressatura isostatica o stampaggio a iniezione.
3. Sinterizzazione di precisione: Sinterizzazione in atmosfera controllata fino a 2100°C.
4. Lavorazione CNC: rettifica all'avanguardia per una precisione a livello di micron.
5. Verifica della qualità: ispezione dimensionale al 100% e test delle proprietà.
6. Convalida finale: test specifici dell'applicazione e verifica delle prestazioni.