Shaanxi Puwei Electronic Technology Co., Ltd

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Disco del vassoio portante in ceramica SiC al carburo di silicio
Disco del vassoio portante in ceramica SiC al carburo di silicio
Disco del vassoio portante in ceramica SiC al carburo di silicio
Disco del vassoio portante in ceramica SiC al carburo di silicio

Disco del vassoio portante in ceramica SiC al carburo di silicio

  • $5

    ≥50 Piece/Pieces

Ombra:
  • Tipo di pagamento: T/T
  • Incoterm: FOB,CIF,EXW
  • Quantità di ordine minimo: 50 Piece/Pieces
  • Trasporti: Ocean,Air,Express
  • Porta: Shanghai,Beijing,Xi’an
descrizione
Caratteristiche del prodotto

marchioCeramica Puwei

Luogo D'origineCina

Tipi DiCeramica ad alta frequenza

MaterialeCarburo di silicio

Disco Trasportatore In Carburo Di SilicioDisco di trasporto ceramico in carburo di silicio

Confezionamento e consegna
Unità vendibili: Piece/Pieces
Tipo pacchetto: I substrati ceramici sono imballati in cartoni con rivestimenti in plastica per evitare graffi e umidità. I cartoni robusti vengono impilati su pallet, fissati con reggette o pellicola termoretraibile. In questo modo garantisce stabilità, facilità di movi
Esempio immagine:
Capacità di fornitura e informazioni aggiuntive

PacchettoI substrati ceramici sono imballati in cartoni con rivestimenti in plastica per evitare graffi e umidità. I cartoni robusti vengono impilati su pallet, fissati con reggette o pellicola termoretraibile. In questo modo garantisce stabilità, facilità di movi

produttività1000000

TrasportiOcean,Air,Express

Luogo di origineCina

SupportareThe annual production of ceramic structural components are 200000 pieces.

Certificati GXLH41023Q10642R0S

PortaShanghai,Beijing,Xi’an

Tipo di pagamentoT/T

IncotermFOB,CIF,EXW

Descrizione del prodotto

Disco del vassoio portante in ceramica al carburo di silicio (SiC).

Panoramica del prodotto

Il disco del vassoio portante in ceramica al carburo di silicio (SiC) di Puwei rappresenta componenti avanzati ad alte prestazioni essenziali per le industrie di precisione, tra cui la produzione di semiconduttori, l'optoelettronica e l'aerospaziale. Progettati per un'eccezionale stabilità termica, resistenza chimica e durata meccanica, questi vassoi garantiscono una manipolazione priva di contaminazioni e resistenza alle alte temperature nei processi critici.

Specifiche tecniche

Parametri di materiali e prestazioni

  • Materiale di base: carburo di silicio (SiC) di elevata purezza
  • Temperatura operativa massima: >1600°C per applicazioni termiche estreme
  • Conduttività termica: 120-200 W/m·K per un'efficiente dissipazione del calore
  • Durezza: >2500 HV (durezza Vickers) - seconda solo al diamante
  • Planarità superficiale: deviazione <10 µm per applicazioni di precisione
  • Gamma di dimensioni standard: diametri personalizzati da 100 mm a 400 mm
  • Resistività elettrica: >10¹⁰ Ω·cm per un eccellente isolamento
  • Resistenza chimica: resistenza eccezionale agli acidi, agli alcali e ai solventi

Caratteristiche e vantaggi principali

  • Resistenza alle temperature ultra elevate: resiste a temperature sostenute superiori a 1600°C, ideale per processi di ricottura e diffusione di semiconduttori
  • Eccezionale inerzia chimica: resiste ad acidi, alcali e solventi, prevenendo la contaminazione durante i cicli di incisione o pulizia
  • Resistenza meccanica superiore: la durezza seconda solo al diamante garantisce una deformazione minima sotto stress meccanico
  • Eccellente isolamento elettrico: isola i wafer dalle interferenze elettriche, fondamentali per l'integrità dei semiconduttori
  • Gestione termica migliorata: conduttività termica superiore rispetto ai tradizionali vassoi in allumina
  • Lunga durata: durata 5 volte più lunga rispetto ai vassoi a base di allumina in applicazioni impegnative

Linee guida per l'implementazione e l'utilizzo

  1. Ispezione pre-utilizzo: verificare la pulizia del vassoio e la planarità della superficie prima del caricamento
  2. Caricamento corretto: posizionare i wafer o i componenti in modo uniforme per evitare la concentrazione dello stress
  3. Integrazione del processo: vassoio di trasferimento attraverso forni ad alta temperatura o bagni chimici seguendo protocolli stabiliti
  4. Ciclo termico: implementare cicli di riscaldamento e raffreddamento controllati per massimizzare la durata del vassoio
  5. Manutenzione regolare: pulire con acqua deionizzata o solventi delicati, evitando materiali abrasivi
  6. Monitoraggio delle prestazioni: ispezione regolare dell'usura e dell'integrità della superficie

Scenari applicativi

Produzione di semiconduttori

Fondamentale per i processi di ricottura, incisione e CVD dei wafer in cui è essenziale una precisione di posizionamento entro 1 µm. La stabilità termica e la resistenza alla contaminazione del vassoio riducono i difetti nelle linee di produzione ad alto rendimento per l'imballaggio microelettronico e la fabbricazione di dispositivi.

Optoelettronica e produzione di LED

Fornisce una base non contaminante per la fabbricazione di LED e diodi laser, sfruttando una conduttività termica superiore per dissipare il calore in modo efficace nelle applicazioni optoelettroniche che richiedono una gestione termica precisa.

Sistemi aerospaziali e di difesa

Protegge i componenti elettronici sensibili di satelliti e missili da temperature e radiazioni estreme, superando le prestazioni dei materiali tradizionali negli ambienti aerospaziali esigenti dove l'affidabilità è fondamentale.

Elettronica di potenza e sistemi energetici

Utilizzato nei processi di produzione di componenti microelettronici ad alta potenza e dispositivi di potenza in cui il trattamento ad alta temperatura e il controllo della contaminazione sono fondamentali per le prestazioni e l'affidabilità del dispositivo.

Valore del cliente e ROI

  • Durata utile estesa: durata operativa 5 volte più lunga rispetto ai vassoi a base di allumina, riducendo significativamente la frequenza e i costi di sostituzione
  • Resa di produzione migliorata: riduce al minimo la rottura e la contaminazione dei wafer, aumentando l'efficienza produttiva fino al 15%
  • Migliore efficienza energetica: l'elevata conduttività termica riduce i tempi di riscaldamento del processo, diminuendo il consumo energetico
  • Costi di manutenzione ridotti: l'eccezionale resistenza all'usura e l'inerzia chimica riducono i requisiti di manutenzione
  • Stabilità di processo superiore: prestazioni costanti durante i cicli termici garantiscono processi di produzione affidabili
  • Controllo della contaminazione: essenziale per i processi sensibili nelle applicazioni di semiconduttori e imballaggi elettronici

Garanzia di qualità e conformità

Il disco del vassoio portante SiC di Puwei Ceramic è conforme agli standard di qualità ISO 9001 e detiene il certificato di copyright sulla superficie del dissipatore di calore in ceramica. I nostri processi produttivi garantiscono la piena conformità alle direttive ambientali RoHS e REACH, garantendo la qualità del prodotto e l'accettabilità globale per le applicazioni critiche.

Servizi di personalizzazione

Offriamo servizi OEM e ODM completi con ampie capacità di personalizzazione, tra cui personalizzazione dimensionale da 0,2 mm a 2,00 mm di spessore, diametri personalizzati fino a 400 mm, finiture superficiali specializzate, modelli di scanalature e metallizzazione opzionale per requisiti applicativi specifici. La nostra esperienza nella ceramica di grande formato consente progetti complessi su misura per esigenze di lavorazione uniche.

Eccellenza produttiva

  1. Preparazione della polvere: selezione di polvere SiC ad elevata purezza e miscelazione precisa con leganti
  2. Formatura di precisione: pressatura a secco o stampaggio a iniezione per modellare vassoi con dimensioni precise
  3. Sinterizzazione ad alta temperatura: cottura controllata a 2000°C+ per ottenere densità e proprietà ottimali
  4. Lavorazione CNC: rettifica e finitura di precisione per garantire precisione a livello di micron e qualità della superficie
  5. Controllo di qualità completo: ogni vassoio viene sottoposto a test di planarità, porosità e resistenza meccanica
  6. Ispezione finale: esame visivo e verifica delle prestazioni prima dell'imballaggio

Competenza tecnica

Con una profonda specializzazione nei materiali ceramici avanzati e nella produzione di precisione, Puwei offre dischi SiC Carrier Tray Disk affidabili e ad alte prestazioni per le applicazioni industriali e dei semiconduttori più esigenti. La nostra esperienza nella scienza e nell'ingegneria dei materiali garantisce soluzioni ottimali per la lavorazione ad alta temperatura, il controllo della contaminazione e l'affidabilità a lungo termine in ambienti di produzione critici.

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