Substrato AMB di nitruro di silicio (Si₃n₄) per moduli in carburo di silicio (SIC) un substrato composito ceramico-metallo ad alte prestazioni fabbricato con tecnologia Active Metal Brazing (AMB). È costituito da: strato ceramico di nitruro di silicio (core) conducibilità termica eccezionalmente elevata (~ 90 W/MK) Eccezionale resistenza meccanica (> 700 MPa) Coefficiente a basso contenuto di espansione termica (cTetabili di ceramica a cerotti di ceramica ceramica a base di ceramica a ceramica ceramica al₂/K). L'interfaccia di legame ermetico di formazione forma a 800-900 ° C contiene elementi attivi (TI/ZR/HF) per superare le sfide di bagnabilità ceramica per i vantaggi chiave per le applicazioni SIC: • Matching CTE-minimizza lo stress termico tra i chip (CTE ~ CTE ~ 4 PPM/K) e il substrato • Stabilità ad alta temperatura-manutenzione di manutenzione oltre 250 ° C-azionamento di trasporto a causa di powerici. -Supporto> 300a/cm² Densità di corrente nei moduli di potenza • Affidabilità-Sopravvivi> 50.000 cicli termici (da -40 ° C a +200 ° C) Applicazioni: moduli di potenza di prossima generazione per invertiti di trazione EV, sistemi di energia rinnovabile e unità motoria industriale che richiedono unità motoria industriale.